难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年

成均馆大学化学工程系教授权锡俊将长鑫存储（CXMT）推进产品的差距开发与量产阶段同韩国企业当年走过的节点作对比，客户联合设计以及人工智能加速器认证一并计入，难高差距还可能再缩短1年。枕无崔正东称，忧韩白瑞仁表示，而在最先进HBM上追平韩国，认为两者之间存在约6年的时差。

更值得留意的是作为HBM追赶基础的通用存储器。多位韩国专家判断，中韩相差1至2代；但把量产良率、韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的追赶速度愈发警惕。专家估算的中韩DRAM差距为2至4年。算上良率、

中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，实际生态差距为4至5年。但依托在通用DRAM上积累的生产经验，最早也要等到2032年至2034年之后。堆叠与热管理、单看单元微缩约差2年，原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，

金容锡提醒，韩国方面已难言高枕无忧。中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。他预计中国在2030年前后达到韩国当前水平，差距已缩小至2年左右，

9月28日消息，中国也已着手开发用于存储器堆叠的封装技术。

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